2015 / 5

Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений и пространственного распределения микрозон свечения по поверхности светодиодных гетероструктур InGaN/GaN различной предыстории после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Показано, что локальные микрозоны свечения, регистрируемые на фоне однородной катодолюминесценции в текстурированных образцах, формируются в результате отражения стимулированного излучения от локальных микроразрушений. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях GaN с высокой плотностью дислокаций ~109 см 2 при многоимпульсном облучении электронным пучком с плотностью энергии H ≈ 0.2 Дж/см2 формируются фигуры Лихтенберга. Интерпретация полученных результатов дана на основе представлений об электроразрядном механизме разрушения диэлектриков и полупроводников под действием сильноточных электронных пучков. Сделано предположение о влиянии стимулированной люминесценции на размножение микроразрушений, в процессе многоимульсного облучения гетероструктур электронным пучком. Визуализация дефектных областей вследствие локализации в этих зонах электрического пробоя может быть положена в основу метода диагностики электрических микронеоднородностей, образующихся в светодиодных гетероструктурах при выращивании. 
Скрыть Аннотацию 

В данной работе приводятся результаты теоретического расчета граничной частоты fc усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах на основе n-GaAs и n-InN. Показано, что fc для нитрида индия составляет величину порядка 200 ГГц, а для арсенида галлия 55 ГГц. 
Скрыть Аннотацию