Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2015 » № 5

Загрузить файл: 155502.pdf ( 241 kB )

Граничная частота усиления волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе нитрида индия

С.А. Сергеев, О.С. Сенатов, Б.В. Сергеева

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского. ул. Астраханская 83, 410012, г. Саратов

В данной работе приводятся результаты теоретического расчета граничной частоты fc усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах на основе n-GaAs и n-InN. Показано, что fc для нитрида индия составляет величину порядка 200 ГГц, а для арсенида галлия 55 ГГц.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2015/5/155502
PACS:	71.45.Lr Charge-density-wave systems 72.20.Ht High-field and nonlinear effects
УДК:	621.382
Цитата:	С.А. Сергеев, О.С. Сенатов, Б.В. Сергеева. Граничная частота усиления волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе нитрида индия // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2015. № 5. 155502