Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2015 » № 5

Загрузить файл: 155501.pdf ( 896 kB )

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка

В.И. Олешко, С.Г. Горина

Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики высоких технологий, кафедра лазерной и световой техники. Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 30

Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений и пространственного распределения микрозон свечения по поверхности светодиодных гетероструктур InGaN/GaN различной предыстории после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Показано, что локальные микрозоны свечения, регистрируемые на фоне однородной катодолюминесценции в текстурированных образцах, формируются в результате отражения стимулированного излучения от локальных микроразрушений. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях GaN с высокой плотностью дислокаций ~109 см 2 при многоимпульсном облучении электронным пучком с плотностью энергии H ≈ 0.2 Дж/см2 формируются фигуры Лихтенберга. Интерпретация полученных результатов дана на основе представлений об электроразрядном механизме разрушения диэлектриков и полупроводников под действием сильноточных электронных пучков. Сделано предположение о влиянии стимулированной люминесценции на размножение микроразрушений, в процессе многоимульсного облучения гетероструктур электронным пучком. Визуализация дефектных областей вследствие локализации в этих зонах электрического пробоя может быть положена в основу метода диагностики электрических микронеоднородностей, образующихся в светодиодных гетероструктурах при выращивании.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2015/5/155501
PACS:	70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
УДК:	621.315.592:535.37
Цитата:	В.И. Олешко, С.Г. Горина. Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2015. № 5. 155501