Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2016 » № 3

Загрузить файл: 163507.pdf ( 220 kB )

Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников

М.А. Ормонт, И.П. Звягин

Московский государственный университет имени М. В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

В рамках парного приближения исследовано влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников, связанное со степенной зависимостью предэкспоненциальных множителей резонансного интеграла $I_{\lambda, \lambda'}$ и интеграла неортогональности $s_{\lambda, \lambda'}$ от межцентрового расстояния $r_{\lambda, \lambda'}$ в паре. Показано, что при $r_{\lambda, \lambda'} < N_{d}^{−1/3}$ ($N_d$ — концентрация примесных центров) в области перехода от почти линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости гибридизация электронных состояний резонансных пар центров играет существенную роль.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2016/3/163507
PACS:	72.20.Ee Mobility edges; hopping transport 72.80.Ng Disordered solids
УДК:	621.315.592
Цитата:	М.А. Ормонт, И.П. Звягин. Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2016. № 3. 163507