|
|
|
Часы работы редакции:
понедельник, четверг: с 10-00 до 13-00
тел: +7(495) 939-11-96
e-mail: uzmu@physics.msu.ru
Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.
XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова
Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».
| Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2016 » № 3 |
Загрузить файл: 163502.pdf ( 205 kB )
Детектирование поверхностных электронных состояний в топологических изоляторах (Bi$_{1−x}$In$_x$)2Se$_3$ с помощью лазерного терагерцового излучения
А. В. Галеева$^1$, С. Г. Егорова$^1$, В.И. Черничкин$^1$, В. В. Румянцева$^2$, С. В. Морозов$^2$, М. Е. Тамм$^3$, Л.В. Яшина$^3$, С.Н. Данилов$^4$, Л.И. Рябова$^3$, ДР. Хохлов$^{1,5}$
$^1$Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и физики конденсированного состояния Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2$^2$Институт физики микроструктур РАН Россия, 607680, Нижний Новгород, ул. Академическая, д. 7
$^3$Московский государственный университет имени М. В.Ломоносова, химический факультет Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 3
$^4$Университет Регенсбурга, Регенсбург, D-93053, Германия
$^5$Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., 53
На примере твердых растворов (Bi$_{1−x}$In$_x$)2Se$_3$ в диапазоне составов, соответствующих как топологической (x < 0.05), так и тривиальной (x > 0.06) фазе продемонстрировано, что использование комбинированного воздействия терагерцового лазерного излучения и магнитного поля может оказаться эффективным методом детектирования поверхностных состояний в топологических изоляторах. Обнаружено, что в топологической фазе амплитуда фотоэлектромагнитного эффекта определяется числом падающих квантов, тогда как в тривиальном полупроводнике — мощностью падающего излучения.
| URL: | http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2016/3/163502 |
| PACS: | 71.20.Nr Semiconductor compounds |
| УДК: | 537.312.5, 537.311.322 |
| Цитата: | А. В. Галеева, С. Г. Егорова, В.И. Черничкин, В. В. Румянцева, С. В. Морозов, М. Е. Тамм, Л.В. Яшина, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, ДР. Хохлов. Детектирование поверхностных электронных состояний в топологических изоляторах (Bi$_{1−x}$In$_x$)2Se$_3$ с помощью лазерного терагерцового излучения // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2016. № 3. 163502 |