• Поиск статьи
    по журналу
  • Поиск
    по журналам
  • Поиск
    по сайту
Часы работы редакции:

понедельник, четверг: с 10-00 до 13-00

тел: +7(495) 939-11-96

e-mail: uzmu@physics.msu.ru

Бюллютень

Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 4

Загрузить файл: 144357.pdf ( 184 kB )

Деградация мощных инжекционных лазеров на основе квантоворазмерной структуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с асимметричным волноводом

О. И. Коваль$^1$, Е. Д. Кудрявцева$^1$, А. Г. Ржанов$^2$, Г. А. Соловьёв$^1$

$^1$Национальный исследовательский университет МЭИ, кафедра физики имени В.А. Фабриканта. Россия, 111250, Москва, Красноказарменная ул., д. 14
$^2$Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.

URL: http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/4/144357
PACS: 42.55.Px Semiconductor lasers; laser diodes
42.65.Jx Beam trapping, self-focusing and defocusing; self-phase modulation
42.65.Wi Nonlinear waveguides
УДК: 535.8/681.7, 621.373.
Цитата: О. И. Коваль, Е. Д. Кудрявцева, А. Г. Ржанов, Г. А. Соловьёв. Деградация мощных инжекционных лазеров на основе квантоворазмерной структуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с асимметричным волноводом // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 4. 144357