Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142505.pdf ( 595 kB )

Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN

С.И. Петров, Алексеев А.Н., Красовицкий Д.М., Чалый В.П., Мамаев В.В., Сидоров В.Г.

ЗАО «НТО», Пр. Энгельса, 27, 194156, С.-Петербург

Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1150°С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений 9.108–1.109 см–2 по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см2/В.с, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142505
PACS:	81.15.-z Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy 81.16.-c Methods of micro- and nanofabrication and processing
УДК:	621.315.592.
Цитата:	С.И. Петров, Алексеев А.Н., Красовицкий Д.М., Чалый В.П., Мамаев В.В., Сидоров В.Г. Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142505