Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142504.pdf ( 482 kB )

Использование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN

Солтанович О.А. Якимов Е.Б.

142432, г. Черноголовка Московской области, ул. Акад. Осипьяна 6, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН.

Исследованы частотные зависимости емкости и проводимости светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в широком диапазоне температур и напряжений смещения. Обнаружено, что релаксация заряда в квантовых ямах хорошо описывается с помощью двух эмиссионных процессов с разной зависимостью скорости эмиссии от температуры. Показано, что в типичных светоизлучающих структурах на основе InGaN/GaN одна или несколько квантовых ям могут оставаться заполненными даже при относительно больших напряжениях смещения, приложенных к структуре, и давать вклад в измеряемую емкость. Это позволяет объяснить наблюдаемое на таких структурах влияние температуры и частоты измерений на эффективные профили концентрации, получаемые из вольт-фарадных характеристик.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142504
PACS:	73.21.Fg Quantum wells 73.61.Ey III-V semiconductors 81.07.St Quantum wells 84.37.+q Measurements in electric variables
УДК:	538.915 538.935 537.9
Цитата:	Солтанович О.А. Якимов Е.Б. Использование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142504