Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142503.pdf ( 192 kB )

Эффективность GaN-светодиодов и энергетическая релаксация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN

Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Россия, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Обнаружена прямая корреляция между уменьшением эффективности и изменениями высокоэнергетичного крыла спектра излучения квантовых ям InGaN/GaN с ростом плотности тока. Предложена динамическая модель энергетической релаксации инжектированных носителей в экспоненциальных хвостах плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN. При низких уровнях инжекции носители, захваченные в мелкие состояний хвостов быстро перескакивают прямо в нижележащие по энергии состояния хвостов. Это приводит к сильной локализации носителей и высокоэнергетичной отсечке спектра излучения. При высоком уровне инжекции прыжковая термализация прямыми перескоками в глубокие состояния подавляется из-за частичного заполнения состояний хвоста. В результате отношение плотности подвижных и локализованных носителей увеличивается с током. Эффективность излучения уменьшается из-за увеличения латеральной диффузионной длины, захвата носителей дефектами и туннельно-рекомбинационной утечке через дефекты. Одновременно высокоэнергетичная отсечка спектра сдвигается к более высокой энергии. Таким образом, величина падения эффективности связана с относительным уширением спектра излучения.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142503
PACS:	85.00.00 Electronic and magnetic devices; microelectronics
УДК:	538.91, 538.935, 538.938, 538.97
Цитата:	Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. Эффективность GaN-светодиодов и энергетическая релаксация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142503