Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142501.pdf ( 425 kB )

Характеризация GaN и структур на его основе методами растровой электронной микроскопии

Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. Россия, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., ул. Академика Осипьяна, 6.

Представлены результаты, демонстрирующие возможности метода наведенного тока и метода катодолюминесценции для характеризации пленок GaN и светоизлучающих структур на их основе. Обсуждаются методы корректного определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в структурах с малой диффузионной длиной. Показано, что метод наведенного тока позволяет измерить не только диффузионную длину в пленках GaN, но в ряде случаев и латеральное распределение донорных центров с пространственным разрешением в микронном диапазоне. Экспериментально показано, что в структурах с малой диффузионной длиной латеральное разрешение при выявлении протяженных дефектов может быть порядка или лучше 100 нм. Продемонстрирована возможность выявления каналов повышенного транспорта неосновных носителей заряда поперек активной области светоизлучающих структур с квантовыми ямами InGaN/GaN.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142501
PACS:	68.37.Hk Scanning electron microscopy 85.35.Be Quantum well devices 78.60.Hk Cathodoluminescence, ionoluminescence 72.90.+y Other topics in electronic transport in condensed matter
УДК:	620.191.4
Цитата:	Якимов Е.Б. Характеризация GaN и структур на его основе методами растровой электронной микроскопии // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142501