Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142405.pdf ( 331 kB )

Ультрафиолетовые светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN выращенные методом хлоридно-гидридной эпитаксии: исследование рабочих характеристик

Менькович Е.А., Тарасов С.А., Курин С.Ю.

197376, Россия, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5

Результаты проведенных исследований показали, что метод хлоридно-гидридной эпитаксии позволяет создать излучающие гетероструктуры высокого качества. Характеристики таких излучателей сопоставимы с параметрами структур, выращенными методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений. При рабочем токе 20 мА температура их активной области tj составляла 43oC, выходная оптическая мощность и КПД – 1.14 мВт и 1.46%, соответственно. Ультрафиолетовые светодиоды работоспособны в непрерывном режиме возбуждения вплоть до значения прямого тока 135 мА.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142405
PACS:	85.60.Jb Light-emitting devices 81.05.Ea III-V semiconductors
УДК:	535.37
Цитата:	Менькович Е.А., Тарасов С.А., Курин С.Ю. Ультрафиолетовые светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN выращенные методом хлоридно-гидридной эпитаксии: исследование рабочих характеристик // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142405