Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142304.pdf ( 424 kB )

Нанотемплеты Si/SiO2/III-нитриды

Ляхова Н.Н., Осинский В.И., Глотов В.И., Суховий Н.О., Литвин О.С., Деминский П.В.

Институт Микроприборов НАН Украины, Северо-Сырецкая 3, 04136, г. Киев

Разработана технология получения нанотемплетов «SiO2 – слой инициации Al2O3 – III-нитрид» на подложках кремния для неполярных гетероструктур III-нитридов методом газофазного осаждения с использованием металлорганических соединений в процессе формирования GaN/InGaN квантовых ям, обеспечивающая формирование массивов GaN-InGaN наноточек и наноколец на GaN наностержнях. При этом обеспечивается низкая плотность дислокаций, ~3×106 см-2 , увеличение интенсивности фотолюминесценции на порядок по сравнению с плоскими образцами и возможность получения большей концентрации индия в твердом растворе InGaN

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142304
PACS:	78.67.De Quantum wells 61.46.Df Structure of nanocrystals and nanoparticles
УДК:	621.382, 621.383
Цитата:	Ляхова Н.Н., Осинский В.И., Глотов В.И., Суховий Н.О., Литвин О.С., Деминский П.В. Нанотемплеты Si/SiO2/III-нитриды // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142304