Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.

Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2014 » № 2

Загрузить файл: 142303.pdf ( 342 kB )

Закономерности и особенности токовых зависимостей теплового сопротивления переход-корпус мощных InGaN/GaN светодиодов

Сергеев В.А., Смирнов В.И., Фролов И.В., Ходаков А.М.

Россия, 432071, Ульяновск, Гончарова, д. 48/2

На основе измерения тепловых характеристик 30 образцов произведенных фирмой Cree мощных InGaN/GaN светоизлучающих диодов (СИД) в диапазоне рабочего тока 50 ... 550 мА показано, что для всех светодиодов тепловое сопротивление переход-корпус возрастает с увеличением рабочего тока. Установлено, что крутизна зависимо-сти от тока значительно уменьшается для токов более чем 300 мА. Рассчитаны выборочные средние значения параметров токовых зависимостей . Полученные результаты подтверждают адекватность ранних предлагаемых нелинейных тепловых моделей мощного СИД и могут быть использованы для оценки неоднородности рас-пределения температуры и плотности тока по структуре светодиода.

URL:	http://uzmu.phys.sunmarket.com/abstract/2014/2/142303
PACS:	81.05.Ea III-V semiconductors
УДК:	621.382.088
Цитата:	Сергеев В.А., Смирнов В.И., Фролов И.В., Ходаков А.М. Закономерности и особенности токовых зависимостей теплового сопротивления переход-корпус мощных InGaN/GaN светодиодов // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142303